6月6日音讯，国度学问产权局信息显现，山东天岳先进科技股份有限公司请求一项名为“一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装”的专利。请求公布号为CN122147534A，请求号为CN202610414730.9，请求公布日历为2026年6月5日，请求日历为2026年3月31日，发明东谈主党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪，专利代理机构北京君慧学问产权代理事务所（平常结伴），专利代理师邢伟，分类号C30B29/36、C30B11/00。

专利摘录显现，本请求公开了一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装，属于SiC衬底制备本领界限。所述P型SiC衬底的C面和Si面的Warp均≤100μm，所述P型SiC衬底的C面和Si面的Bow均≤60μm；所述P型SiC衬底的Si面内最大的Raman特征峰的峰值为A1，所述SiC衬底的Si面内最小的Raman特征峰的峰值为A2，|A1‑A2|≤0.1cm‑1；P型SiC衬底的C面内最大的Raman特征峰的峰值为B1，所述P型SiC衬底的C面内最小的Raman特征峰的峰值为B2，|B1‑B2|≤0.1cm‑1。该P型SiC衬底的平整度和应力溜达更均匀，提高SiC衬底物感性能的得当性，龙虎下载官方版延伸器件的使用年限。

天岳先进开发于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券交游所上市。公司注册地址和办公地址均触及山东省济南市。天岳先进是国内进步的碳化硅衬底坐褥商，具备本领与产能上风，投资价值突显。

天岳先进主商业务为碳化硅衬底的研发、坐褥和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，涉考取三代半导体、半导体材料倡导、碳化硅等倡导板块。

2025年，天岳先进终端商业收入14.65亿元，在行业26家公司中名按序9，低于第又名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元，高于行业中位数11.14亿元，但低于行业平均数19.89亿元。主商业务中，碳化硅半导体材料收入12.25亿元，占比83.62%；其他(补充)收入2.4亿元，占比16.38%。净利润方面，2025年为-2.09亿元，在行业中名次24/26，远低于第又名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元，也低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元。

山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称呼专利类型法律情景请求号请求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1一种低杂质含量的氧化镓晶体偏抓助长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202610410657.82026-03-31CN122013320A2026-05-12周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏2一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装发明专利公布CN202610414730.92026-03-31CN122147534A2026-06-05党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪3一种氧化镓晶体同步助长安装及助长行径发明专利公布CN202610402210.62026-03-30CN122147528A2026-06-05周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏4一种高平整度碳化硅晶棒偏抓制备行径、制备安装发明专利实验审查的收效、公布CN202610004935.X2026-01-05CN121989120A2026-05-08刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪5一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳偏抓制备行径发明专利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马浩瀚6一种高耐压球形多孔碳偏抓制备行径和应用发明专利实验审查的收效、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞7一种n型碳化硅晶体偏抓液合营长行径发明专利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、深邃8一种氧化镓晶体向下助长的长晶安装及长晶行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生9一种顶部籽晶助长氧化镓单晶的安装及行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗10一种新式布里奇曼法氧化镓单晶助长用坩埚及助长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春11一种低倒角承诺度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角斥地发明专利实验审查的收效、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林12一种低位错、高平整度的碳化硅衬底偏抓制备行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13王振行、赵开国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、深邃13一种低波折密度碳化硅晶体、衬底及助长安装、助长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏14一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及助长斥地、助长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强15小应力晶体和衬底及可控降温速率的晶体助长安装和晶体助长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏16一种P型晶体及液合营长安装和液合营长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家一又、周敏、宋建、石志强17一种长晶炉测温仪的校准检测安装发明专利实验审查的收效、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国18一种高效长晶炉测温仪的校准检测行径、斥地及介质发明专利实验审查的收效、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国19一种黑磷碳负极偏抓合成行径和合成斥地、包括其的电板发明专利实验审查的收效、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞20一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液合营长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇21一种半导体单晶的液合营长斥地和液合营长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕22一种提高半导体晶体质地的液合营长安装及液合营长行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴23一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的收效、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩24一种高质地P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的收效、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓25一种行星式旋转切割半导体的切割斥地和切割行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生26一种基平面波折小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明专利实验审查的收效、实验审查的收效、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、深邃、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪27一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的收效、实验审查的收效、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、深邃、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩28一种精确定位开装的感应炉发明专利实验审查的收效、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛29一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明专利实验审查的收效、实验审查的收效、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、深邃、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉30一种石墨化碳纤维布发明专利实验审查的收效、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明31一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明专利实验审查的收效、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、深邃、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮32一种多炉台荒谬气体轮廓期骗斥地实用新式授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏33一种测温安装实用新式授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高激越、张长银、滕永懂34一种曲率半径大且溜达均匀的4H碳化硅晶棒及制备行径和应用发明专利授权、实验审查的收效、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、王振行、深邃、王凯、薛成业、苗泽、许长波35一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备行径发明专利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、深邃36一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明专利实验审查的收效、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高激越37一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件发明专利实验审查的收效、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10高宇晗、深邃、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀38一种碳化硅晶体轮回坐褥历程中甩掉物料自动铲凿安装及行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高激越39一种裂缝扳手实用新式授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、高激越、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂40一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标行径偏抓应用发明专利实验审查的收效、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、深邃41一种详情3C-SiC晶体晶向的行径及一种详情3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标场所的行径发明专利实验审查的收效、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、深邃42一种裁减碳化硅单晶制备老本的液合营长用坩埚及液相制备行径发明专利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵开国43一种新式碳化硅晶体助长坩埚实用新式授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祯祥44一种齿圈衬套内衬更换工装及更换斥地实用新式授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高激越、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂45一种用于长晶炉感应线圈的升降安装偏抓安装行径发明专利实验审查的收效、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇46一种用于长晶炉感应线圈的升降安装实用新式授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇47一种高品性碳化硅衬底偏抓制备行径和半导体器件发明专利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13深邃、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅48一种高品性碳化硅衬底偏抓制备行径和半导体器件发明专利实验审查的收效、公布CN202411279470.62024-05-13CN119121384A2024-12-13深邃、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇49一种金刚石衬底的名义惩处行径发明专利授权、实验审查的收效、公布CN202410579028.92024-05-11CN118143760B2024-07-05王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明50一种大尺寸金刚石的拼接助长行径发明专利授权、实验审查的收效、公布CN202410579038.22024-05-11CN118147748B2024-07-19王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅龙虎下载官方版